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普泰克制冷設備

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普泰克-半導體專用溫控操作使用

更新時間:2025-07-24點擊次數(shù):349

一、操作前準備

  1. 設備檢查
    • 外觀與連接:檢查設備外殼無破損,電源線、信號線(如與工藝腔室的通訊線)、冷卻管路(水冷式)連接牢固,無松動或泄漏。

    • 安全裝置:確認急停按鈕、超溫報警、過流保護等安全功能正常(可通過設備自檢模式驗證)。

    • 溫控介質(zhì):若為液體溫控(如導熱油、去離子水),檢查介質(zhì)液位在規(guī)定范圍(通常≥80%),無雜質(zhì)或變質(zhì);若為氣體溫控(如氮氣),確認氣源壓力穩(wěn)定(一般 0.4-0.6MPa),純度符合工藝要求(如≥99.999%)。

    • 環(huán)境條件:設備工作環(huán)境需潔凈(Class 1000 及以上潔凈室)、無振動(振幅≤0.1μm)、溫度 18-25℃、濕度 40-60%,避免粉塵或腐蝕性氣體影響溫控精度。

  2. 工藝參數(shù)確認
    • 根據(jù)生產(chǎn)工單明確工藝需求:目標溫度(如退火工藝可能為 1000-1200℃,光刻膠固化可能為 90-120℃)、溫控精度(通常 ±0.1℃,工藝需 ±0.01℃)、升溫速率(如 5-10℃/min)、保溫時間(如 30-60s)、溫控區(qū)域(單點溫控或多點分區(qū)溫控)。

    • 確認溫控對象(如晶圓載臺、光刻鏡頭、反應腔內(nèi)壁)的材質(zhì)兼容性,避免溫控介質(zhì)與對象發(fā)生化學反應(如金屬載臺需避免與酸性導熱液接觸)。


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